Технологии в электронной промышленности №6'2012

Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий

Антонов Роман

Антонова Екатерина

Горлов Митрофан


В статье рассматривается влияние рентгеновского облучения на электрические параметры и низкочастотный шум диодов, биполярных и МОП-транзисторов и интегральных схем (ИС). Предлагается критерий отбора для неразрушающего метода диагностики.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Технологии в электронной промышленности» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.


 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо

Диагностика компьютера тверь
И диагностике неисправностей впрысковых автомобилей
proservice-tver.ru
Купить кроссовки reebok
Рибок. Не стоит думать - стоит купить. Цена доступна! Подробнее на сайте
modton.net
Фен valera
Профессиональные фены Moser в наличии
valeraswiss.ru