Технологии в электронной промышленности №6'2012

Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий

Антонов Роман

Антонова Екатерина

Горлов Митрофан


В статье рассматривается влияние рентгеновского облучения на электрические параметры и низкочастотный шум диодов, биполярных и МОП-транзисторов и интегральных схем (ИС). Предлагается критерий отбора для неразрушающего метода диагностики.

Статьи последних номеров доступны только в печатном варианте. Вы можете приобрести свежие номера журнала «Технологии в электронной промышленности» в свободной продаже или заказать в редакции. Извините за доставленные неудобства.


 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо

Металлическая балка
Производство и продажа. Брашированные балки. Фальшбалки
grif-r.ru
Кроссовки Asics купить
Модная одежда и обувь ASICS с доставкой по РФ
sneakerstyle.ru
Теплицы москва
Надёжные теплицы в О-Зуево. Нас рекомендуют! Уникальная конструкция теплиц
moskva.mirteplici.ru