Электронные и ионные технологии

Микротехнология - универсальная основа производства современной электроники, (ТвЭП №4'2005)

Микротехнология - комплекс групповых прецизионных технологий, разработанных для производства микроэлектроники. В последние годы она все больше внедряется в смежные области техники. В статье предпринята попытка выделить и обозначить общие, наиболее универсальные для различных электронных производств технологические методы и очертить круг тем, по которым предполагается подбор и публикация материалов, расширяющих кругозор современного технолога.

Химия в электронике, (ТвЭП №6'2005)

Химия все более и более проникает в электронику и, наоборот, электроника проникает в химию. О некоторых направлениях этого взаимопроникновения и взаимообогащения пойдет речь в данной статье.

Гибридно-пленочные интегральные микросхемы: выбор материалов и что необходимо учитывать при конструировании, (ТвЭП №2'2007)

Ни для кого не секрет, что проблемы по поводу надежности и технологичности любого изделия возникают намного раньше, чем начинается этап разработки технологии для данного изделия. В статье затрагиваются вопросы, касающиеся разработки конструкции гибридно-пленочных интегральных микросхем (ГПИС) и выбора материалов -подложек, проводниковых и резистивных слоев - для тонко- и толстопленочной технологий. А также рассматриваются необходимые размеры, которые должен учитывать каждый конструктор при разработке конструкторской документации (КД) на данный вид изделия и технолог, подписывающий КД в графе «Т. контр».

Школа производства ГПИС. Фоторезисты и их основные характеристики, (ТвЭП №3'2007)

Тема микроэлектроники (УИЭ] в последнее время стала актуальной в России. Мы постараемся осветить наиболее важные технологические операции, касающиеся изготовления гибридно-пленочных интегральных схем (ГПИС), начиная с технологии литографических процессов и заканчивая герметизацией.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Первый этап: формирование слоя резиста, (ТвЭП №3'2007)

Трудно представить себе производство микроэлектроники без процесса литографии. Сегодня данный процесс применяется не только при изготовлении непосредственно тонко-и толстопленочных слоев гибридно-пленочных интегральных микросхем (ГПИС), но и при изготовлении трафаретов для их производства.

Нанесение тонких пленок в вакууме, (ТвЭП №3'2007)

Один из современных способов модификаций изделий машиностроения и приборостроения - уменьшение геометрических размеров их элементов. Многие из них включают в себя тонкопленочные покрытия, характеристики которых можно менять, варьируя их толщину. По функциональному назначению такие покрытия связаны практически со всеми разделами физики: механикой, электричеством, магнетизмом, оптикой, а в качестве материалов для них используется большинство элементов Периодической системы.

Технология монтажа микроплат в корпусах многофункциональных модулей, (ТвЭП №1'2008)

Технология сборки многофункциональных модулей СВЧ отличается высокой трудоемкостью, особыми требованиями к взаимному расположению элементов, минимальными потерями сигналов в СВЧ-диапазоне, необходимостью обеспечения высоких удельных значений рассеиваемой тепловой мощности. Особое внимание при сборке модулей уделяется монтажу микроплат с электронными компонентами в корпус, что позволяет не только сократить трудоемкость, но и повысить выход годных изделий.

Технология поверхностного монтажа при сборке плат микросборок и гибридно-пленочных интегральных схем. Первые результаты, (ТвЭП №4'2008)

В статье подробно рассказывается о технологии производства микромодуля питания, выполненного в виде толстопленочной микросборки (МСБ), упакованной бескорпусными кристаллами, с применением способов поверхностного монтажа, и описываются первые образцы, изготовленные по данной технологии.

Влагоустойчивость интегральных микросхем в пластмассовых корпусах, (ТвЭП №4'2008)

Для повышения влагоустойчивости пластмассовых корпусов интегральных схем предложено ввести кремнийорганический подслой и применить конструкцию выводной рамки с «замками герметичности» по периметру кристаллодержателя.

Установки компании XYZTEC для тестирования качества соединений, (ТвЭП №6'2008)

В микроэлектронике большое значение имеет проверка качества монтажа кристалла и качества разваренного проволокой вывода. Производители изделий должны быть на 100% уверены в их надежности и долгом сроке службы.

Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек. Продолжение, (ТвЭП №6'2008)

Появление сухих методов очистки (рис. 8) было обосновано не только проблемами исключения загрязнений, но и, главным образом, необходимостью прецизионного локального травления через контактные маски при формировании топологии микросхем. В данной статье описывается сущность и особенности этих методов.

Свариваемость гальванических покрытий для изделий электроники, (ТвЭП №5'2008)

Авторы статьи имеют значительный опыт работы в области исследования свойств гальванических покрытий для изделий электроники. Для эффективной замены драгоценных металлов авторами разработаны устройства и активированные процессы ультразвуковой микросварки. Представленная информация будет полезна специалистам, работающим в области сборки изделий электроники.

Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек, (ТвЭП №5'2008)

В предыдущих номерах («Технологии в электронной промышленности», № 3, 4, 5 2007 г.) мы рассказывали о процессе фотолитографии. Но качество данного процесса во многом зависит от подготовки пластин и подложек, поступающих на создание топологии. В данной статье рассказывается об операциях очистки пластин и подложек, рассматриваются классификация методов, преимущества и недостатки каждого из них и более подробно — наиболее часто применяемые и перспективные методы.

Армированные проволоки нового типа для микросварки компонентов силовой электроники, (ТвЭП №2'2008)

В рамках данного исследования были созданы и опробованы армированные проволоки нового типа для микросварки компонентов силовой электроники на основе алюминия и меди. Пластичность алюминия гарантирует хорошую свариваемость при небольшой нагрузке микрочипа или подложки. Волокна меди, в свою очередь, увеличивают прочность и электропроводность, а также уменьшают коэффициент температурного расширения проволоки. Данные улучшения были подтверждены путем исследования свойств материала.

Прецизионные системы совмещения и экспонирования серии EVG620, (ТвЭП №2'2008)

Сегодня компания EVGroup производит установки чистки полупроводниковых пластин, совмещения, экспонирования, сварки пластин и наноимпринтной литографии. Установки серии EVG620 обеспечивают высокую точность совмещения, гибкость и легкость в использовании, обладают модульной конструкцией с возможностью расширения, способны работать с пластинами и подложками размером до 150 мм, различных форм и толщин, позволяя получать минимальный размер топологии создаваемого рисунка 0,6 микрон.

Снижение толщины золотых покрытий при изготовлении интегральных схем, (ТвЭП №7'2008)

Поиски путей экономии драгоценных металлов при изготовлении интегральных схем привели к разработке и изготовлению корпусов интегральных схем с тонким золотым покрытием. Снижение толщины золотого покрытия с 3–6 до 0,1 мкм уменьшает стоимость изделий в 5 раз по сравнению с обычными корпусами и приравнивает их по цене к корпусам с покрытием Ni–B, однако при этом не требуется лужение внешних выводов. В статье исследованы свариваемость и паяемость тонких золотых покрытий, а также покрытий Ni–B в металлокерамических корпусах интегральных схем.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Второй этап — передача рисунка на слой резиста, (ТвЭП №4'2007)

Продолжение цикла статей о гибридно-пленочных интегральных микросхемах (ГПИС). Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Исследование повышения адгезии многослойных металлизационных покрытий к диэлектрическим подложкам гибридных интегральных схем, (ТвЭП №5'2007)

В настоящее время широкое распространение имеют гибридные интегральные схемы (ГИС) СВЧ-диапазона, представляющие собой сочетание пленочных и навесных элементов.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Третий этап — передача рисунка на материал интегральной микросхемы, (ТвЭП №5'2007)

Продолжение цикла статей по школе производства ГПИС. Передача рисунка материала интегральной микросхемы (ИМС) является заключительным этапом процесса фотолитографии.

Школа производства ГПИС. Технические требования к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, (ТвЭП №6'2007)

Проведение фотолитографического процесса сопровождается рядом контрольных операций, таких как контроль фоторезистивного слоя и контроль полученного рисунка [1]. В данной статье содержатся некоторые технические требования (ТТ) к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, реально используемых в производстве на некоторых предприятиях приборостроения.

Пайка ионным лучом в вакууме, (ТвЭП №7'2007)

Решение проблем бесфлюсовой пайки и лужения при сборке силовых электронных компонентов и необходимость обеспечения качественных паяных соединений приводят к использованию ускоренных ионных потоков в невысоком вакууме. Концентрированные потоки ионов с высокой энергией позволяют обеспечить локальное воздействие на зону пайки, удалить окисные пленки, активировать припой и паяемый материал и интенсифицировать процессы физико-химического взаимодействия при пайке.

Технология термозвуковой микросварки методом «шарик–клин–шарик» и контроль микросварных соединений, (ТвЭП №7'2007)

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Электромиграция в электронных узлах силовой электроники. Усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, (ТвЭП №7'2007)

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Микроэлектроника: отмывка повышает надежность!, (ТвЭП №8'2007)

Разварка выводов кристаллов при помощи микросварки — высокотехнологичный процесс, на результат которого влияет множество факторов. Один из них — чистота поверхностей контактных площадок подложки и кристалла.

Технология и оборудование ультразвуковой очистки изделий электроники, (ТвЭП №8'2007)

Экологические проблемы в электронике вызвали повышенный интерес к процессам и устройствам ультразвуковой очистки электронных и электронно-оптических изделий. Для удаления стойких загрязнений с поверхностей изделий необходимо создать направленные акустические течения в жидкой среде и обеспечить равномерность кавитационного поля в ультразвуковой ванне.

Активация процессов ультразвуковой микросварки изделий электроники, (ТвЭП №2'2009)

Для повышения качества и воспроизводимости свойств микросварных соединений в изделиях электроники разработаны устройства и активированные процессы ультразвуковой микросварки. Представленная информация будет полезна специалистам, работающим в области сборки изделий микроэлектроники.

Напайка кристаллов на основания корпусов силовых полупроводниковых приборов с образованием эвтектики Al–Zn, (ТвЭП №2'2009)

В статье рассмотрены способы пайки кристаллов в производстве силовых полупроводниковых приборов и проанализированы диаграммы состояний систем алюминий – цинк, алюминий – олово и цинк – олово. Также описаны разработка способа напайки кристаллов на основания корпусов с образованием эвтектики Al–Zn и проведение оценки прочности паяных соединений кристалл – корпус и анализа качества паяных швов методом рентгеновской дефектоскопии и по поперечным шлифам транзисторов КП767В.

Повышение качества микросварных соединений в интегральных схемах с использованием ультразвуковых систем повышенной частоты, (ТвЭП №1'2010)

Разработаны ультразвуковые системы повышенной частоты для микросварки с высоким качеством золотых и алюминиевых проводников диаметром от 20 до 200 мкм. Повышение частоты колебаний до 94 кГц позволяет увеличить скорость нагрева в зоне сварки, снизить знакопеременные напряжения в свариваемых материалах и обеспечить процесс формирования соединений за более короткое время.

Технические решения для снижения энергопотребления при активной эксплуатации и в режиме ожидания, (ТвЭП №1'2010)

В конце 2009 г. количество пользователей персональных компьютеров превысило 1 млрд. В связи с этим прогнозы Международного энергетического агенства (IEA), согласно которым потребление энергии электронными средствами коммуникации в 2030 г. возрастет до 1,7 ПВт (1015 Вт), не вызывают удивления. Это означает увеличение потребления энергии в три раза [1], а с учетом бытовой техники — по крайней мере, в 4 раза. Исходя из негативного воздействия на окружающую среду и дополнительных расходов производители электроники предпринимают попытки приостановить эту опасную для всех тенденцию, принимая различные технические меры. Далее будут представлены некоторые решения.

Технологии сушки фоторезиста, (ТвЭП №3'2010)

Технологический процесс сушки фоторезиста на нагревательной плите получил широкое распространение в начале 1980&-х годов. До этого основным способом сушки различных покрытий была сушка в конвекционных печах, в которых весьма сложно создать равномерное распределение температуры по внутреннему объему, что может оказывать отрицательное влияние на качество пленки после сушки и на повторяемость процесса.

Дефекты паяных соединений при монтаже внешних выводов транзисторов в силовых модулях, (ТвЭП №3'2010)

Исследованы причины возникновения дефектов при пайке внешних выводов мощных транзисторов в пластмассовых и металлокерамических корпусах в силовых электронных модулях.

Программно-управляемый монтаж кристаллов силовых транзисторов вибрационной пайкой в защитной атмосфере, (ТвЭП №5'2010)

Для обеспечения устойчивости изделий к термоциклическим нагрузкам и высокого выхода годных изделий по электрическим и тепловым параметрам необходим программно-управляемый монтаж кристаллов в защитной атмосфере. Оптимизация как траектории движения кристаллов при монтаже, так и дозы припоя позволила создать надежный технологический процесс с высокой стабильностью и воспроизводимостью тепловых параметров силовых транзисторов.

Из Европы с любовью, (ТвЭП №6'2010)

Выход на рынок нового поколения сложного технологического оборудования — всегда радостное событие для его создателей. А футуристическое название Wega серии 80XX тем более интригует и удивляет: это установка прецизионного монтажа кристаллов или компонентов SMD? Дозатор? Установка ультразвуковой сварки? Тестер механической прочности соединений на разрыв и сдвиг?

Об особенностях получения и преимуществах использования электрохимических покрытий сплавами цинка с оловом и молибденом, (ТвЭП №7'2010)

Исследованы особенности нанесения покрытий олово-цинковыми сплавами и сплавами на основе каждого из этих металлов. Выявлено, что такие покрытия обладают преимуществами по сравнению с покрытиями, образованными только одним из металлов, и по сравнению с кадмиевыми покрытиями. Их целесообразно использовать взамен кадмирования, оловянирования, покрытий сплавами олово-свинец, олово-висмут, особенно в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании (РЭА, РЭО), например, для предотвращения такого опасного явления, как внезапные и перемежающиеся отказы, а также снизить объем использования цинковых покрытий для защиты стали от атмосферной и микробной коррозии. Изучены физико-химические и физико-механические эксплуатационные свойства таких покрытий. Показана эффективность их использования в атмосферных условиях повышенной жесткости (морские среды, приморские зоны, тропики, микроорганизмы и другие факторы внешней среды).

Трибологические исследования поверхностей олова на контактах для технологии соединений в электронике, (ТвЭП №7'2010)

С помощью статистического плана исследований из различных нормальных сил, скоростей и путей трения были получены факторы влияния на характеристики трения и сопротивления. На основе полученных данных можно сделать вывод, что контактная сила практически не оказывает влияния на коэффициент трения, однако значительно влияет на контактное сопротивление. Возрастающая скорость трения увеличивает контактное сопротивление, так же как это делает большой путь трения. Однако эти высказывания действительны только для проверенных сочетаний материалов.

Формирование микросварных соединений в интегральных схемах контактной микросваркой, (ТвЭП №7'2010)

В статье представлены результаты исследования процессов формирования микросварных соединений медной проволокой с контактными площадками с никелевым и золотым покрытием в интегральных микросхемах контактной микросваркой.

Основанное на гравитации гальваническое осаждение для получения трехмерных поверхностей с кристаллической структурой, (ТвЭП №7'2010)

С помощью процесса гальванического осаждения, основанного на гравитации, возможно создание трехмерных металлических слоев в специальной камере без использования масок. При этом уменьшается обеднение электролитов ионов металла на поверхности осаждения при помощи поворотной камеры. При использовании этой технологии были получены положительные результаты с соединениями, созданными методом перевернутого кристалла, при помощи чего достигаются определенные преимущества для соединения тонких подложек в многослойную структуру.

Моделирование ультразвуковых технологических систем методом конечных элементов, (ТвЭП №8'2010)

Рассмотрен вариант моделирования ультразвуковой колебательной системы с помощью программного комплекса конечно-элементного анализа ANSYS для оптимизации резонансных частот и форм колебаний.

Неразрушающие методы контроля качества монтажа полупроводниковых кристаллов в корпуса ИМС, (ТвЭП №2'2011)

Раскрываются новые возможности как традиционного метода неразрушающего контроля — лазерной микроинтерферометрии, так и уникального — лазерной фототермоакустической микроскопии. Последний метод основан на физико-технических многоступенчатых принципах возбуждения, регистрации и обработки слабых сигналов с последующим извлечением из них полезной информации о внутренних физических особенностях неразъемных контактов в конструкциях изделий электронной техники, микро- и наноэлектроники.

Как сделать полупроводниковое производство безопасным и эффективным, (ТвЭП №3'2011)

В микроэлектронике постоянно появляются новые идеи и технические решения. С каждым годом совершенствуется автоматизация производства, технология требует все более высокой точности. Основными этапами производства полупроводниковой продукции являются: вакуумное осаждение, экспонирование, травление, ионная имплантация и диффузия примесей. Во всех этих процессах используются специальные и гидридные газы, многие из которых — легковоспламеняющиеся, отравляющие и агрессивные. В статье рассматривается система газораспределения на производстве, обеспечивающая стабильную и высокоточную подачу газов без снижения уровня их чистоты.

Мониторинг процесса ультразвуковой микросварки методом частотно-временного анализа вибраций инструмента, (ТвЭП №5'2011)

В статье рассмотрены процессы и устройства непрерывного частотно-временного анализа вибраций инструмента в процессе ультра- и термозвуковой микросварки. Мониторинг и частотно-временной анализ сигналов технологических датчиков необходим при наладке и исследовании технологических процессов микросварки с целью получения наиболее качественных соединений.

Настройка ультразвуковых колебательных систем микросварки соединений в электронике, (ТвЭП №6'2011)

Разработана система контроля амплитуды ультразвуковых колебаний инструмента в процессах микросварки золотых и алюминиевых проводников. Правильное согласование элементов ультразвуковой технологической системы позволяет увеличить амплитуду колебаний инструмента и повысить прочность микросварных соединений при сварке на повышенных частотах.

О стойкости материалов и покрытий датчиков давления к микробной коррозии в тропических условиях, (ТвЭП №7'2011)

На основе лабораторных испытаний, проведенных в ИФХЭ РАН, и натурных испытаний металлов, полимеров и покрытий элементов конструкций оборудования в тропических условиях Кубы проанализирована стойкость материалов и покрытий датчиков давления к микробной коррозии и даны рекомендации по их возможному применению.

Современные технологии изготовления чипов и сборки в полупроводниковой микроэлектронике, (ТвЭП №7'2011)

В настоящей статье рассмотрены некоторые основные современные технологии изготовления чипов и сборки, по которым за рубежом ведется промышленное производство интегральных микросхем и дискретных полупроводниковых приборов и которые могут быть интересны российским клиентам. Сжатый формат публикации не позволяет отразить в этом материале перспективные технологии, находящиеся в стадии исследований.

Монтаж полупроводниковых пластин на адгезив с точностью совмещения 1 мкм Термическое и ультрафиолетовое отверждение, (ТвЭП №8'2011)

Как показывает практика, адгезионное соединение полупроводниковых пластин (или монтаж пластин на адгезив) является важным процессом при корпусировании ИМС во многих областях. Тем не менее, чтобы результаты процесса соответствовали требованиям к изделию, необходимо решить ряд задач и преодолеть некоторые технические сложности.

Инструменты для микросборочного производства, (ТвЭП №8'2011)

Сейчас потребность производств в современной элементной базе неуклонно растет, и к качеству выпускаемых изделий предъявляются самые высокие требования. В российском производстве электроники существенную долю технологических процессов занимают микросборочные операции, которые являются одним из ключевых этапов, влияющих на качество конечного изделия. Прогнозируется сохранение таких тенденций и в будущем. И для создания рентабельного производства недостаточно наличия только лишь современного оборудования: требуется обеспечить отлаженный и с высокой точностью воспроизводимый техпроцесс, на что в значительной степени влияет такой параметр, как правильный выбор инструмента для той или иной технологической операции. В данной статье мы остановимся именно на этом вопросе и рассмотрим его на примере компании Micro Point Pro, деятельность которой направлена на производство всего спектра инструментов для процессов монтажа кристаллов, разварки проволочных выводов и тестирования.

Применение наноструктурированных материалов в технологии соединений , (ТвЭП №5'2012)

В связи с дальнейшей миниатюризацией и расширением функциональных возможностей электронных модулей необходим новый подход к созданию электропроводящих контактов. Применение наноструктурированных материалов открывает новые возможности для монтажа и улучшения контактных свойств соединений отдельных компонентов микросистем, которые заключаются не только в уменьшении размеров соединений, но также и в управлении свойствами материалов. Некоторые инновационные материалы к настоящему моменту успешно прошли испытания и уже предлагаются на рынке.

Серебряное покрытие корпусов полупроводниковых изделий , (ТвЭП №5'2012)

В статье рассмотрены основные способы нанесения покрытий. Представлены данные исследований серебряных покрытий (химического состава, микроструктуры и микротвердости) после нанесения и отжига в режимах напайки кристаллов. Установлено, что свойства покрытий зависят от физико-механических свойств металла основы (корпуса).

Оптимизация параметров ультразвуковых преобразователей повышенной частоты , (ТвЭП №5'2012)

На основе предложенных математических выражений определены оптимальные значения резонансной частоты и импеданса ультразвукового преобразователя повышенной частоты и условия закрепления инструмента в ультразвуковой системе микросварки проволочных выводов в процессах монтажа кристалла на плате (COB). Разработанная методика экспериментально подтверждена с помощью лазерного измерителя амплитуды колебаний. Оптимальное согласование элементов ультразвуковой технологической системы позволяет увеличить амплитуду колебаний инструмента и повысить прочность микросварных соединений при сварке на повышенных частотах.

Влияние рентгеновского облучения на электрические параметры полупроводниковых изделий , (ТвЭП №6'2012)

В статье рассматривается влияние рентгеновского облучения на электрические параметры и низкочастотный шум диодов, биполярных и МОП-транзисторов и интегральных схем (ИС). Предлагается критерий отбора для неразрушающего метода диагностики.

Особенности применения ручных установок посадки и разварки кристаллов фирмы West-Bond , (ТвЭП №6'2012)

Огромный опыт разработки устройств для микроэлектронной промышленности, большое разнообразие предлагаемой продукции, удобство использования и непревзойденное качество — все это отличает компанию West-Bond, Inc. из города Анахейм (штат Калифорния, США). Фирма является общепризнанным производителем установок для посадки и разварки кристаллов и установок тестирования, как для лабораторного и многономенклатурного производства, так и для серийной продукции. Сегодня компания задает тенденцию развития такого рода оборудования, при этом не забывая о модернизации и расширении модельного ряда.

Модульная конструкция process-unit — новый концепт установок для процессов травления и гальванопластики на кремниевых пластинах , (ТвЭП №6'2012)

Модульная конструкция установки silicet process-unit позволяет повысить экономическую выгоду проведения технологических процессов химического травления и гальванического осаждения слоев за счет высокой стабильности процессов и высокого выхода годных изделий, минимальных затрат времени на загрузку и разгрузку подложек, отсутствия их механических повреждений и минимального расхода рабочих жидкостей. В основе установки заложен разработанный и запатентованный Гансом Моритцем метод фиксации и герметизации подложек и субстратов с помощью вакуума.

Ультратонкие пластины как тенденция развития полупроводниковых технологий , (ТвЭП №8'2012)

В статье рассмотрены основные тенденции применения ультратонких и экстремально тонких пластин и перехода к ним для изготовления интегральных схем, полупроводниковых приборов и современной 3D-сборки. Проанализированы основные методы, технологии и оборудование утонения пластин с использованием шлифовки, полировки, плазменного и химического травления, релаксации для снятия механических напряжений, а также инструмента, материалов и сервиса для обработки ультратонких пластин.

Свариваемость покрытий Ni–B ультразвуковой микросваркой , (ТвЭП №8'2012)

Современный уровень развития электроники и приборостроения требует применения новых покрытий, обладающих комплексом полезных физико-химических и механических свойств: высокой коррозионной стойкостью и пластичностью, низким переходным сопротивлением и малыми значениями внутренних напряжений, хорошей способностью к пайке и ультразвуковой сварке, а также высокой микротвердостью и износостойкостью.

Манипулятор с микроконтроллерным управлением для загрузки полупроводниковых пластин в оборудование микроэлектроники , (ТвЭП №1'2013)

Для автоматизации работы специального технологического оборудования микроэлектроники служат роботы-манипуляторы, выполняющие функции загрузки и разгрузки полупроводниковых кремниевых подложек, а также смены фотошаблонов в установках переноса изображений с фотошаблонов на полупроводниковые пластины. Для управления роботами-манипуляторами разработаны микроконтроллеры, позволяющие задавать координатные перемещения с глубиной дискретности от 120 до 0,05 мкм и с точностью ±5 мкм.

Эффективная очистка плазмой изделий электронной промышленности , (ТвЭП №2'2013)

В повседневной жизни вещества в состоянии плазмы встретить достаточно сложно, однако в современной промышленности плазма активно используется во многих областях. Причина тому — специфические особенности вещества в таком агрегатном состоянии, благодаря которым оно может изменять свойства различных материалов при контакте с ними. Это, в свою очередь, эффективно применяется в производстве, в том числе при изготовлении изделий электроники.

Гальваническое осаждение функциональных покрытий в нестационарных режимах электролиза, (ТвЭП №4'2013)

Функциональные гальванические покрытия, широко применяемые для электронных компонентов, собираемых с помощью пайки или микросварки, должны обладать комплексом электрофизических и физико-механических свойств, обеспечивающих высокую надежность аппаратуры. Для формирования заданных свойств покрытий перспективно применение новых методов гальванического осаждения в нестационарных режимах.

Измерение тепловых характеристик полупроводниковых электронных компонентов , (ТвЭП №8'2013)

Продолжение. Начало в № 3 ‘2013
Измерение тепловых характеристик электронных компонентов — одна из наиболее сложных задач современной электроники. В этой статье продолжено обсуждение данной темы и предложены новые подходы к решению этой задачи.

Наноматериалы аккумулирования энергии в литий-ионных источниках питания, (ТвЭП №3'2015)

В статье рассказывается о новых исследованиях, целью которых стало выявление новых материалов литий-ионных аккумуляторов, а также о разработке новых методов их изготовления.

Герметизация интегральных схем в металлостеклянных и металлокерамических корпусах, (ТвЭП №1'2016)

Для обеспечения устойчивости к термоциклическим нагрузкам силовые интегральные схемы в металлокерамических и металлостеклянных корпусах герметизируют преимущественно шовно-роликовой сваркой. Основными параметрами, влияющими на герметичность корпуса, являются усилие сжатия свариваемых элементов, амплитуда сварочного тока во вторичной обмотке трансформатора и его длительность. Для повышения стабильности качества герметизации корпусов необходимо настроить параметры установки шовно-роликовой сварки, а также обеспечить автоматическое регулирование сварочного тока.

Генерация плазмы. Выбор правильного решения, (ТвЭП №1'2016)

В профессиональных обсуждениях часто поднимают тему плазмы как современного инструмента высокотехнологичных производств, позволяющего существенно улучшать характеристики выпускаемых изделий. Что же такое плазма вообще? Какие виды плазмы существуют, чем они различаются и какие из них лучше подходят для того или иного применения?

 
ПОДПИСКА НА НОВОСТИ

Оцените, пожалуйста, удобство и практичность (usability) сайта:
Хорошо
Нормально
Плохо