MIL-STD-883G. Метод 2012.7. Рентгенография

В статье описаны критерии рентгеновского (неразрушающего) контроля полупроводниковых приборов и гибридных интегральных микросхем в герметизированном корпусе, особенно тех, которые получены в процессе герметизации, и внутренние дефекты типа инородных предметов, непригодных соединительных проводов и пустот в материале крепления кристалла.

Технология термозвуковой микросварки методом «шарик–клин–шарик» и контроль микросварных соединений

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Школа производства ГПИС. Технические требования к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления

Проведение фотолитографического процесса сопровождается рядом контрольных операций, таких как контроль фоторезистивного слоя и контроль полученного рисунка [1]. В данной статье содержатся некоторые технические требования (ТТ) к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, реально используемых в производстве на некоторых предприятиях приборостроения.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Третий этап — передача рисунка на материал интегральной микросхемы

Продолжение цикла статей по школе производства ГПИС. Передача рисунка материала интегральной микросхемы (ИМС) является заключительным этапом процесса фотолитографии.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Второй этап — передача рисунка на слой резиста

Продолжение цикла статей о гибридно-пленочных интегральных микросхемах (ГПИС). Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Оптимизация процесса экспонирования фоторезиста

Экспонирование фоторезистов (ФР) — первое звено в общей последовательности операций литографической обработки подложек, которая завершается созданием вытравленной структуры. Исходя из этого оптимизация процесса экспонирования — одна из наиболее сложных проблем в технологии ИМС.

Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек

В предыдущих номерах («Технологии в электронной промышленности», № 3, 4, 5 2007 г.) мы рассказывали о процессе фотолитографии. Но качество данного процесса во многом зависит от подготовки пластин и подложек, поступающих на создание топологии. В данной статье рассказывается об операциях очистки пластин и подложек, рассматриваются классификация методов, преимущества и недостатки каждого из них и ...

Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек. Продолжение

Появление сухих методов очистки (рис. 8) было обосновано не только проблемами исключения загрязнений, но и, главным образом, необходимостью прецизионного локального травления через контактные маски при формировании топологии микросхем. В данной статье описывается сущность и особенности этих методов.

Технология поверхностного монтажа при сборке плат микросборок и гибридно-пленочных интегральных схем. Первые результаты

В статье подробно рассказывается о технологии производства микромодуля питания, выполненного в виде толстопленочной микросборки (МСБ), упакованной бескорпусными кристаллами, с применением способов поверхностного монтажа, и описываются первые образцы, изготовленные по данной технологии.

Школа производства ГПИС. Фоторезисты и их основные характеристики

Тема микроэлектроники (УИЭ] в последнее время стала актуальной в России. Мы постараемся осветить наиболее важные технологические операции, касающиеся изготовления гибридно-пленочных интегральных схем (ГПИС), начиная с технологии литографических процессов и заканчивая герметизацией.