В статье описаны критерии рентгеновского (неразрушающего) контроля полупроводниковых приборов и гибридных интегральных микросхем в герметизированном корпусе, особенно тех, которые получены в процессе герметизации, и внутренние дефекты типа инородных предметов, непригодных соединительных проводов и пустот в материале крепления кристалла.

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Проведение фотолитографического процесса сопровождается рядом контрольных операций, таких как контроль фоторезистивного слоя и контроль полученного рисунка [1]. В данной статье содержатся некоторые технические требования (ТТ) к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, реально используемых в производстве на некоторых предприятиях приборостроения.

Продолжение цикла статей по школе производства ГПИС. Передача рисунка материала интегральной микросхемы (ИМС) является заключительным этапом процесса фотолитографии.

Продолжение цикла статей о гибридно-пленочных интегральных микросхемах (ГПИС). Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Экспонирование фоторезистов (ФР) — первое звено в общей последовательности операций литографической обработки подложек, которая завершается созданием вытравленной структуры. Исходя из этого оптимизация процесса экспонирования — одна из наиболее сложных проблем в технологии ИМС.

В предыдущих номерах («Технологии в электронной промышленности», № 3, 4, 5 2007 г.) мы рассказывали о процессе фотолитографии. Но качество данного процесса во многом зависит от подготовки пластин и подложек, поступающих на создание топологии. В данной статье рассказывается об операциях очистки пластин и подложек, рассматриваются классификация методов, преимущества и недостатки каждого из них и ...

Появление сухих методов очистки (рис. 8) было обосновано не только проблемами исключения загрязнений, но и, главным образом, необходимостью прецизионного локального травления через контактные маски при формировании топологии микросхем. В данной статье описывается сущность и особенности этих методов.

В статье подробно рассказывается о технологии производства микромодуля питания, выполненного в виде толстопленочной микросборки (МСБ), упакованной бескорпусными кристаллами, с применением способов поверхностного монтажа, и описываются первые образцы, изготовленные по данной технологии.

В свете последних событий, происходящих в России, наблюдается растущий интерес к микроэлектронике (МЭ). Это не может не радовать, поскольку МЭ - область электроники, в которой наша страна занимала когда-то лидирующие позиции. Потом были 1990-е, «лучшим образом» сказавшиеся на развале того задела, который создавался на протяжении нескольких десятилетий. И нам обидно за людей, переживших развити...