MIL-STD-883G. Метод 2012.7. Рентгенография

В статье описаны критерии рентгеновского (неразрушающего) контроля полупроводниковых приборов и гибридных интегральных микросхем в герметизированном корпусе, особенно тех, которые получены в процессе герметизации, и внутренние дефекты типа инородных предметов, непригодных соединительных проводов и пустот в материале крепления кристалла.

Технология термозвуковой микросварки методом «шарик–клин–шарик» и контроль микросварных соединений

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Школа производства ГПИС. Технические требования к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления

Проведение фотолитографического процесса сопровождается рядом контрольных операций, таких как контроль фоторезистивного слоя и контроль полученного рисунка [1]. В данной статье содержатся некоторые технические требования (ТТ) к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, реально используемых в производстве на некоторых предприятиях приборостроения.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Третий этап — передача рисунка на материал интегральной микросхемы

Продолжение цикла статей по школе производства ГПИС. Передача рисунка материала интегральной микросхемы (ИМС) является заключительным этапом процесса фотолитографии.

Участок поверхностного монтажа для мелкосерийного многономенклатурного производства сложных печатных узлов

В связи с непрерывной миниатюризацией электронной аппаратуры и, как следствие, уменьшением применяемой элементной базы, применение ручных методов при операции сборки также непрерывно уходит в прошлое. Большинство предприятий отрасли становятся перед проблемой технического перевооружения и обоснования приобретения того или иного оборудования. Данная статья очередной раз доказывает эффективность ...

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Второй этап — передача рисунка на слой резиста

Продолжение цикла статей о гибридно-пленочных интегральных микросхемах (ГПИС). Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Оптимизация процесса экспонирования фоторезиста

Экспонирование фоторезистов (ФР) — первое звено в общей последовательности операций литографической обработки подложек, которая завершается созданием вытравленной структуры. Исходя из этого оптимизация процесса экспонирования — одна из наиболее сложных проблем в технологии ИМС.

Оптимизация температурного профиля пайки печатных плат оплавлением

В статье описываются исходные данные для теоретического построения температурного профиля пайки печатных плат оплавлением исходя из основных влияющих факторов.

Разговор на тему «Какое все-таки сборочно-монтажное оборудование нужно в России?»

Данная статья «родилась» из одного разговора, можно сказать дискуссии, с одним моим хорошим другом, когда мы коснулись вопроса сборочно-монтажного оборудования для отраслевых предприятий России. Тема дискуссии звучала приблизительно следующим образом: «Какое оборудование для производства печатных плат целесообразно поставлять в Россию: мелкосерийное или все-таки для крупной серии?» То есть, дру...

Школа производства ГПИС. Очистка поверхности пластин и подложек

В предыдущих номерах («Технологии в электронной промышленности», № 3, 4, 5 2007 г.) мы рассказывали о процессе фотолитографии. Но качество данного процесса во многом зависит от подготовки пластин и подложек, поступающих на создание топологии. В данной статье рассказывается об операциях очистки пластин и подложек, рассматриваются классификация методов, преимущества и недостатки каждого из них и ...