Ультразвуковая очистка в технологии электроники

Эффективность ультразвуковой очистки в жидких средах зависит от выбора многих параметров: удельной акустической мощности, частоты колебаний, температуры жидкости, геометрических параметров ванн и др. С помощью кавитометра установлены закономерности распределения активности кавитации в рабочем объеме жидких сред.

Применение высокочастотного нагрева для сборки диодов в корпусе miniMELF

Рассмотрены вопросы сборки диодов в корпусе для поверхностного монтажа типа miniMELF с применением высокочастотного индукционного нагрева. Моделированием и экспериментальными исследованиями температурных полей установлены оптимальные технологические параметры индукционного нагрева.

Лазерная технология интенсификации гальванического осаждения функциональных покрытий

Предложена лазерная технология активации процесса электрохимического осаждения в режиме импульсного тока и определены режимы, позволяющие увеличить скорость осаждения покрытий и формировать локальные структуры с улучшенными физико-механическими свойствами. Применение лазерного излучения в период действия импульса тока активирует процесс кристаллизации металла, а в период паузы — ускоряет процес...

Диагностика ультразвуковых колебательных систем в установках микросварки

Рассмотрены методики и устройства бесконтактной диагностики ультразвуковых колебательных систем в установках ультразвуковой и термозвуковой микросварки, обеспечивающие согласование преобразователя с микроинструментом в резонансном режиме работы.

Применение термовоздушных станций при монтаже и демонтаже электронных компонентов

Рассмотрены характеристики термовоздушных паяльных станций, применяемых для поверхностного монтажа и демонтажа электронных компонентов. Моделированием и экспериментальными исследованиями температурных профилей установлены оптимальные технологические параметры конвекционного нагрева.

Пайка SMD-­компонентов диодным лазером

В современных электронных модулях с поверхностным монтажом повышение плотности монтажных соединений вызывает необходимость применения высокопроизводительных и бесконтактных методов нагрева для пайки. Лазерное излучение, как самый мощный источник тепловой энергии, обладает уникальными особенностями высокой локальности воздействия и управляемости процессом нагрева. Для пайки электронных модулей с...

Повышение качества паяных соединений бессвинцовыми припоями

Введение адгезионно-активных добавок графена и микродоз полупроводникового материала Ge в расплав бессвинцового припоя при воздействии интенсивных ультразвуковых колебаний приводит к измельчению зерен припоя и тормозит образование хрупких интерметаллидных соединений, таких как Sn3Cu и AgSn, на границах раздела фаз. Это позволяет повысить прочность паяных соединений на 25–35% и снизить их перехо...

Герметизация интегральных схем в металлостеклянных и металлокерамических корпусах

Для обеспечения устойчивости к термоциклическим нагрузкам силовые интегральные схемы в металлокерамических и металлостеклянных корпусах герметизируют преимущественно шовно-роликовой сваркой. Основными параметрами, влияющими на герметичность корпуса, являются усилие сжатия свариваемых элементов, амплитуда сварочного тока во вторичной обмотке трансформатора и его длительность. Для повышения стаби...

Повышение мобильности и качества сборки электронных модулей в многономенклатурном производстве

Для повышения эффективности многономенклатурного мелкосерийного выпуска электронных модулей необходимо максимально ускорить процесс подготовки производства, обеспечивая при этом высокую точность и качество сборки. Применение штрихкодирования компонентов, офлайн-программирования, универсальных магазинов и питателей позволяет ускорить процесс переналадки оборудования до 10 раз.

Обеспечение теплового режима высокопроизводительных электронных модулей

В высокопроизводительных электронных модулях с экранами от внешних электромагнитных полей возникает проблема отвода тепла от теплонагруженных микросхем. Предложен вариант отвода тепла с помощью контактных муфт и теплорассеивающих пластин. Моделированием получены численные значения температур основных теплонагруженных элементов и тепловые поля в электронных модулях.