В соответствии с действующими и обсуждаемыми программами основные вложения делаются в развитие элементной базы. Речь идет в основном об электронных компонентах, в первую очередь — о СБИС. Цель — достижение определенных топологических норм на кристаллах полупроводниковых компонентов.