Группа компаний Picosun оптимизировала процессы атомно-слоевого осаждения пленок Al2O3 и SiO2

Группа компаний Picosun оптимизировала процессы атомно-слоевого осаждения пленок Al₂O₃ и SiO₂.

В ходе исследований использовалась установка атомно-слоевого осаждения PICOSUN Sprinter ALD system для осаждения пленок Al2O₃ и SiO₂. Результаты измерений пленок Al₂O₃ показали отличную однородность толщины даже при низкой температуре осаждения +90 °C. А при температуре осаждения +300 °C однородность оказалась на рекордном уровне < 0,2% 1 сигма при измерении на одной пластине.

Кроме того, за последние два месяца специалистам удалось повысить производственную мощность более чем вдвое без ухудшения однородности.

Также были проведены исследования процессов осаждения пленок SiO₂, которые показали высокую однородность пленок SiO₂ при температуре осаждения +300…+390 °C. Дополнительная информация об этих и других улучшениях процесса доступна по запросу.

Нанесение пленок Al₂O₃ — это один из наиболее распространенных процессов в производстве датчиков изображения и дисплеев. Осаждение тонких пленок SiO₂ широко используется в процессе производства, например, логических микросхем в качестве разделителей или многослойных приложений.