В «Росэлектронике» освоили выпуск мощных диодов ИК-излучения

Холдинг «Росэлектроника» госкорпорации «Ростех» начал производство мощных излучающих диодов на основе твердых растворов арсенида галлия — арсенида алюминия (GaAs/AlAs). Полупроводниковые приборы используются в качестве источника инфракрасного излучения в системах оптической связи с открытым каналом, дальнометрии, охраны периметра, подсветки видеосъемки, а также для задач имитации целей и организации или подавления систем ночного видения.

Диоды 3Л148А1 разработаны томским АО «НИИ полупроводниковых приборов» (НИИПП) и выпускаются с применением мезапланарной технологии в металлополимерном корпусе, обеспечивающем эффективный теплоотвод. Длина волны излучения — 870 ±15 нм. При проектировании применена оригинальная геометрия излучающего кристалла, согласованная со специально рассчитанной формой линзы, что обеспечивает уникальные характеристики прибора.

В перспективе предприятие планирует расширить линейку выпускаемых диодов изделиями с длиной волны излучения 905 ±15 нм.

Кроме того, НИИПП наладил выпуск специальных полупроводниковых источников света. В частности, освоено производство единичных индикаторов в корпусе размером 3,5×2,8 мм, приспособленном для автоматизированного поверхностного монтажа, а также приборы для замены ламп накаливания типа СМ, МН и других в оборудовании наземной, авиационной и морской техники.