Технология и оборудование ультразвуковой очистки изделий электроники

Экологические проблемы в электронике вызвали повышенный интерес к процессам и устройствам ультразвуковой очистки электронных и электронно-оптических изделий. Для удаления стойких загрязнений с поверхностей изделий необходимо создать направленные акустические течения в жидкой среде и обеспечить равномерность кавитационного поля в ультразвуковой ванне.

Микроэлектроника: отмывка повышает надежность!

Разварка выводов кристаллов при помощи микросварки — высокотехнологичный процесс, на результат которого влияет множество факторов. Один из них — чистота поверхностей контактных площадок подложки и кристалла.

Электромиграция в электронных узлах силовой электроники. Усовершенствование технологии термозвуковой микросварки

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Технология термозвуковой микросварки методом «шарик–клин–шарик» и контроль микросварных соединений

В данной статье описывается усовершенствование технологии термозвуковой микросварки, связанное с увеличением надежности одной из заключительных операций монтажа кристаллов и последующих контрольных операций.

Пайка ионным лучом в вакууме

Решение проблем бесфлюсовой пайки и лужения при сборке силовых электронных компонентов и необходимость обеспечения качественных паяных соединений приводят к использованию ускоренных ионных потоков в невысоком вакууме. Концентрированные потоки ионов с высокой энергией позволяют обеспечить локальное воздействие на зону пайки, удалить окисные пленки, активировать припой и паяемый материал и интенс...

Школа производства ГПИС. Технические требования к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления

Проведение фотолитографического процесса сопровождается рядом контрольных операций, таких как контроль фоторезистивного слоя и контроль полученного рисунка [1]. В данной статье содержатся некоторые технические требования (ТТ) к внешнему виду пассивной части ГПИС на разных этапах изготовления, реально используемых в производстве на некоторых предприятиях приборостроения.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Третий этап — передача рисунка на материал интегральной микросхемы

Продолжение цикла статей по школе производства ГПИС. Передача рисунка материала интегральной микросхемы (ИМС) является заключительным этапом процесса фотолитографии.

Исследование повышения адгезии многослойных металлизационных покрытий к диэлектрическим подложкам гибридных интегральных схем

В настоящее время широкое распространение имеют гибридные интегральные схемы (ГИС) СВЧ-диапазона, представляющие собой сочетание пленочных и навесных элементов.

Школа производства ГПИС. Фотолитография. Второй этап — передача рисунка на слой резиста

Продолжение цикла статей о гибридно-пленочных интегральных микросхемах (ГПИС). Точность полученного в процессе фотолитографии (ФЛ) топологического рисунка в первую очередь определяется прецизионностью процесса формирования фоторезистивной маски.

Снижение толщины золотых покрытий при изготовлении интегральных схем

Поиски путей экономии драгоценных металлов при изготовлении интегральных схем привели к разработке и изготовлению корпусов интегральных схем с тонким золотым покрытием. Снижение толщины золотого покрытия с 3–6 до 0,1 мкм уменьшает стоимость изделий в 5 раз по сравнению с обычными корпусами и приравнивает их по цене к корпусам с покрытием Ni–B, однако при этом не требуется лужение внешних выводо...