Исследование скорости травления различных пленок в установке плазменной обработки МРС

В статье приводятся результаты исследования скорости ионно-плазменного травления пленок оксида алюминия и меди, нанесенных на кварцевые резонаторы, проведенного компанией GN Tech и специалистами из МГТУ им. Н. Э. Баумана.

Повышение качества электронных изделий по методике FMEA

В статье описан один из эффективных методов менеджмента качества — анализ видов и последствий потенциальных несоответствий (Failure Mode and Effect Analysis — FMEA), который позволяет выявить потенциальные дефекты изделий в ходе производства, определить их причины, оценить риски их появления и принять меры для устранения или снижения вероятности ущерба от отказа.

Выбор оборудования для Flip-Chip монтажа кристаллов термозвуковой микросваркой

Рынок портативной электроники развивается быстрыми темпами. Это усиливает спрос на более эффективные, легкие электронные компоненты малых размеров с низкой стоимостью. Эта тенденция продолжится в обозримом будущем, поскольку перед каждым новым поколением мобильных телефонов, ноутбуков, смарт-карт будет стоять задача достичь высокой производительности при оптимальном соотношении стоимости изгото...

Технологическое оборудование контактной микросварки

При производстве изделий микроэлектроники широкое распространение получил технологический процесс контактной микросварки. В частности, контактная микросварка используется для разварки проволочных и ленточных выводов и перемычек в микросборках.

Установка диффузионной сварки подложек микроэлектромеханических систем

В статье рассмотрены механизмы диффузионной сварки подложек из стекла, кремния и пьезокерамики, конструктивные принципы построения и технические характеристики установки диффузионной сварки ЭМ‑4044, предназначенной для получения неразъемного соединения элементов МЭМС.

Круглый стол «Практические аспекты применения радиофотоники» в рамках форума «Микроэлектроника-2021»

В рамках деловой программы форума «Микроэлектроника-2021» 7 октября состоится круглый стол «Практические аспекты применения радиофотоники». Модераторы круглого стола: Алексей Леонидович Переверзев, д. т. н., доцент проректор НИУ МИЭТ; Петр Михайлович Еремеев, заместитель главного конструктора АО «НИИ «Субмикрон» Цель круглого стола — определение потенциальных областей применения радиофотоники, направлений развития компонентной базы радиофотоники с учетом тенденций развития приборов и систем на принципах радиофотоники и установление кооперационных связей между разработчиками ...

Круглый стол «Конкурентоспособность отечественной ЭКБ и базовых технологических процессов при разработке радиоэлектронной аппаратуры оборонных и гражданских «сквозных проектов»

В рамках Пленарных чтений 5 октября состоится круглый стол «Конкурентоспособность отечественной ЭКБ и базовых технологических процессов при разработке радиоэлектронной аппаратуры оборонных и гражданских «сквозных проектов» Модераторами мероприятия выступят:  Никифоров Александр Юрьевич, д.т.н., профессор (НИЯУ МИФИ), Смазнов Константин Андреевич - заместитель директора Департамента радиоэлектронной промышленности и Шелепин Николай Алексеевич, д.т.н., профессор (АО «НИИМЭ») Конкурентноспособность российской ЭКБ – ключевой вопрос импортозамещения в отечественной электронной отрасли. На ...

Круглый стол «Отечественная ЭКБ для технологий ИИ как драйвер повышения степени автономности БпЛА»

В рамках Научной конференции в секции № 10 «Нейроморфные вычисления. Искусственный интеллект» пройдет круглый стол «Отечественная ЭКБ для технологий ИИ как драйвер повышения степени автономности БпЛА». Мероприятие представляет собой часть деловой программы форума «Микроэлектроника-2021». Модератор мероприятия: к. т. н. Дмитрий Михайлович Дрягин, генеральный директор АО «КТ — Беспилотные Системы». Со-модераторы круглого стола: модераторы секции № 10. Ключевой характеристикой современных БпЛА является степень автономности, которая обеспечивает возможность динамической адаптации к быстро ...

Формообразование проволочных соединений повышенной плотности в приборах электронной техники

При современном развитии микроэлектроники происходит увеличение степени интеграции, производительности и надежности выпускаемых изделий. С повышением степени интеграции кристаллов растет плотность межсоединений между кристаллом и корпусом, уменьшаются размеры контактных площадок и расстояния между ними. Повышение плотности соединений заставляет применять проволоку малого диаметра, а это в свою ...

Расчетно-аналитический метод определения размеров контактных площадок на кристаллах

Экспериментально показано влияние параметров микросварочного инструмента, применяемого в процессе микросварки методом «клин-клин», на протяженность зоны взаимодействия микропроволоки с металлизацией подложки. Предложено аналитическое выражение, позволяющее расчетным путем определить такой параметр, как длина микросварного соединения, влияющий на размеры контактных площадок проектируемых кристал...